Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films - Interférometrie In-situ, Instrumentation pour la Microscopie Electronique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue CrystEngComm Année : 2020

Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films

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Soumis le : lundi 14 décembre 2020-19:02:57

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hal-03030275 , version 1 (14-12-2020)

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Citer

Guillaume Noircler, Marta Chrostowski, Melvyn Larranaga, Etienne Drahi, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Transmission electron microscopy characterization of low temperature boron doped silicon epitaxial films. CrystEngComm, 2020, 22 (33), pp.5464-5472. ⟨10.1039/D0CE00817F⟩. ⟨hal-03030275⟩

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